BSC034N06NSATMA1

功能描述:MOSFET N-CH 60V 100A 8TDSON

制造商:infineon technologies

系列:OptiMOS??

包装:剪切带(CT)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET (Metal Oxide)

漏源极电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):100A(Tc)

不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):3.4 毫欧 @ 50A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.3V @ 41μA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):41nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss):3000pF @ 30V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):*

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-PowerTDFN

供应商器件封装:PG-TDSON-8

标准包装:1

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